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Vishay發布采用3.3mm平面封裝低導通電阻的20V P溝道MOSFET
2012 年 11 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封裝的器件，在實現低導通電阻的同時，高度比通常的0.75mm還要低28%，同時保持相同的PCB布版樣式。
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