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零件圖片（僅供參考）

規格參數

Vishay威世半導體原廠型號：SQM110N05-06L-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO263

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：110A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：110nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4440pF @ 25V

功率 - 最大值：157W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：TO-263（D2Pak）

SQM110N05-06L-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SQM110N05-06L-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 55V 110A TO263

產品應用分類：單端場效應管

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