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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SQJB80EP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：80V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：19 毫歐 @ 8A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V

功率-最大值：48W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

SQJB80EP-T1_GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SQJB80EP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點(diǎn)擊此處查詢SQJB80EP-T1_GE3的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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