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Vishay代理商全球庫存查詢及產品技術資料下載

我們為全球各個行業提供Vishay（威世） SQJB70EP-T1_GE3及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SQJB70EP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續漏極(Id)：11.3A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：220pF @ 25V

功率-最大值：27W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

SQJB70EP-T1_GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SQJB70EP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SQJB70EP-T1_GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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