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我們為全球各個行業提供Vishay（威世） SQ1912AEEH-T1_GE3及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SQ1912AEEH-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：800mA（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：280 毫歐 @ 1.2A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.25nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：27pF @ 10V

功率-最大值：1.5W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙

SQ1912AEEH-T1_GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SQ1912AEEH-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SQ1912AEEH-T1_GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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