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Vishay代理商全球庫存查詢及產品技術資料下載

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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIZF918DT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 10A，10V，1.9 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC，56nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1060pF，2650pF @ 15V

功率-最大值：3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerWDFN

SIZF918DT-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIZF918DT-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SIZF918DT-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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