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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIZF906BDT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 15A，10V，680μ歐姆 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V，165nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 15V，5550pF @ 15V

功率-最大值：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerWDFN

SIZF906BDT-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIZF906BDT-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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