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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIZ926DT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續漏極(Id)：40A（Tc），60A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 5A，10V，2.2 毫歐 @ 8A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10V，41nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：925pF @ 10V，2150pF @ 10V

功率-最大值：20.2W，40W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerWDFN

SIZ926DT-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIZ926DT-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SIZ926DT-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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