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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SIS903DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen III

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：20.1 毫歐 @ 5A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：42nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2565pF @ 10V

功率-最大值：2.6W（Ta），23W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? 1212-8 雙

SIS903DN-T1-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SIS903DN-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數(shù)：MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SIS903DN-T1-GE3的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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