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Vishay代理商全球庫存查詢及產品技術資料下載

我們為全球各個行業提供Vishay（威世） SIRA12BDP-T1-GE3及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIRA12BDP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：27A（Ta），60A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1470pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），38W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SIRA12BDP-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIRA12BDP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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