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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：SIR624DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：ThunderFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18.6A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 7.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1110pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：52W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SIR624DP-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIR624DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SIR624DP-T1-GE3的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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