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Vishay代理商全球庫存查詢及產品技術資料下載

我們為全球各個行業提供Vishay（威世） SIHB100N60E-GE3及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIHB100N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：E

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續漏極(Id)：30A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 13A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1851pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263）

SIHB100N60E-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIHB100N60E-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SIHB100N60E-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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