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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SIA442DJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

系列：TrenchFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：9.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 60V

功率 - 最大值：19W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SC-70-6

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SC-70-6 單

SIA442DJ-T1-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：SIA442DJ-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

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