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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SI7962DP-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7.1A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 11.1A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.4W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

SI7962DP-T1-E3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SI7962DP-T1-E3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SI7962DP-T1-E3的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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