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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SI7860DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET?

零件狀態：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：11A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 18A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SI7860DP-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SI7860DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SI7860DP-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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