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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產品型號：SI7615BDN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：29A（Ta），104A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.8 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：155nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4890pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），66W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? 1212-8

SI7615BDN-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SI7615BDN-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SI7615BDN-T1-GE3的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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