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零件圖片(僅供參考)
SI6913DQ-T1-E3
規格參數
  • 制造商產品型號:SI6913DQ-T1-E3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):4.9A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 5.8A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):900mV @ 400μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):28nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:830mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-TSSOP(0.173,4.40mm 寬)
  • SI6913DQ-T1-E3,Vishay(威世)產品一站式供應商。
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    基本參數:
  • 電子零件型號:SI6913DQ-T1-E3
  • 原始制造廠商:Vishay(威世)
  • 技術標準參數:MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處查詢SI6913DQ-T1-E3的技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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