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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SI4963BDY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：4.9A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6.5A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

SI4963BDY-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SI4963BDY-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SI4963BDY-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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