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零件圖片(僅供參考)
SI4453DY-T1-GE3
規格參數
  • 制造商產品型號:SI4453DY-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):10A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):6.5 毫歐 @ 14A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):900mV @ 600μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):165nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.5W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-SO
  • SI4453DY-T1-GE3,Vishay(威世)產品一站式供應商。
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    基本參數:
  • 電子零件型號:SI4453DY-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay(威世)
  • 技術標準參數:MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處查詢SI4453DY-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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