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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SI1065X-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.18A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：156 毫歐 @ 1.18A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.8nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：480pF @ 6V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：236mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SC-89-6

SI1065X-T1-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SI1065X-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SI1065X-T1-GE3的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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